• 姓       名:高云
  • 职       称:教授
  • 学       位:博士
  • 所在机构:湖北大学 材料科学与工程学院
  • 出生年月:
  • 籍       贯:
  • E  - mail:gaoyun@hubu.edu.cn
  • 研究方向:微电子与固体电子学
个人简介 学术成果 发表论文

教育背景

先后在北京师范大学获学士和硕士学位、在香港中文大学获博士学位。

工作经历

多次赴英国和香港进行学术访问和交流。

学术兼职

中国电子学会高级会员,美国材料研究学会会员。

教授课程

量子力学、集成电路制造工艺及原理、高级半导体器件物理。

科研项目

(1) 半导体薄膜FeSi2光电性质的基础研究,国家自然科学基金委(国际合作部2005, 项目主持人。经费数目:$45,000

(2) 新型半导体器件的制备与性质研究, 湖北省科学技术厅, 2006~2008, 项目主持人。经费数目:$40,000

(3) 新型光电子材料的性质及应用研究, 武汉市青年晨光计划,武汉市科技局,2007-2008,项目主持人。经费数目:$50,000

(4) 新型硅基红外发光器件的设计与研制,武汉市教育厅重点项目,2007-2008,项目主持人。经费数目:$30,000

(5) 半导体FeSi2薄膜的制备及其光电特性研究,湖北省铁电压电重点实验室开放基金,2005-2007,项目主持人。经费数目:$20,000

论文专著

在Appl. Phys. Lett.,J. J. Appl. Phys., Thin solid film,Materials Science&Engineering B等国际期刊上发表了近30篇SCI科研论文。

(1) “ Post-annealing effect on the microstructure and photoluminescence properties of the ion beam synthesized FeSi2 precipitates in Si” , Nucl. Inst. and Meth. B, in press, (2007) 第一署名, SCI 收录。

(2) “ Origin of Ferromagnetism in Co-ion-implanted anatase TiO2 thin films” , Japanese Journal of Applied Physics, in press,(2007) 第一署名, SCI 收录。

(3) “ Microstructural and optical properties of semiconducting MnSi1.7 synthesized by ion implantation” , Japanese Journal of Applied Physics, in press, (2007) 第一署名,SCI 收录。

(4) “ Origin of 1.55 ?m Photoluminescence from FeSi2 Precipitates in Silicon Synthesized by Metal Vapor Vacuum Arc Ion Implantation” , Appl. Phys. Lett., (应用物理快报),(2003), 第一署名,SCI 收录。

(5) “ Transmission Electron Microscopy Study High Temperature ?-FeSi2 Formation by Ion Implantation Using Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source” , Appl. Phys. Lett.,(应用物理快报),(2003), 第一署名,SCI 收录。

奖励/荣誉

(1) 2003年11月:香港中文大学电子工程系固体实验室优秀博士毕业生

(2) 2006年,湖北省自然科学三等奖,第二署名